D類音頻功率放大器以其高效性得到廣泛使用，主導瞭現代音頻領域。然而也有其局限性，當前的D類音頻系統雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰。

傳統的D類功放芯片是功率管採用於矽基晶體管（特别是MOSFET）。它們在實現D類放大器所需的快速開關速度和低導通電阻方面存在困難。随著對更高頻率和電壓的需求增加，這些基於矽的設計會引入更多失真、更長的死區時間以及更高的功率損耗——所有這些因素都會降低放大器的整體音質和效率。

矽基MOSFET的關鍵局限性之一是其體二極管的恢複速度較慢，這導緻開關波形中出現過量的振鈴和過沖。這些效應不僅會降低音質，還會增加熱輸出。矽基MOSFET中的固有電容——例如輸出電容（Coss）——進一步加劇瞭這一問題，迫使設計人員爲瞭防止過量的電磁幹擾而降低開關速度。

氮化镓是一種寬帶隙半導體，與矽相比具有多項固有的技術優勢，它重新定義瞭功率電子的可能性。與矽相比，GaN具有多種固有優勢，這些優勢直接解決瞭傳統D類放大器的不足，解鎖瞭新的性能水平。簡單的說，氮化镓開關器件相較於矽基晶體管應用於D類音頻功放中所帶來的優勢主要有三點：整體效率更高；失真指标有所提升；開關波形更加清晰。

深圳市永阜康科技有限公司現在大力推廣國内首款氮化镓D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成瞭7mΩ Rdson GaN氮化镓，48V供電時，驅動到4Ω可以在10%THD+N内輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。

概述

ACM8816是一款集成GaN HEMT的器件，高效、高性能具有I2S數字輸入的單聲道D類音頻放大器。外圍應用電路隻需要很少的無源元件，能在4.5V至50V寬輸入電源工作。ACM8816集成7mΩRdson-GaN-HEMT，驅動到4Ω可以在10%THD+N内輸出1×340W的功率，而不需要散熱器。

ACM8816採用瞭一種新穎的PWM調制架構，在啓動階段調整PWM占空比，以避免啓動異常。擴頻技術提供較低的EMI輻射。

ACM8816内置的先進音效調諧功能提供瞭一種高度集成的解決方案。它允許以高度獨立的操作打開/關閉每個模塊，前後BQ可編程特定頻段信号動态增強。此外，ACME專利的3+1頻段DRC具有峰值和RMS檢測功能，可實現靈活平坦的多頻段控制。

ACM8816集成ClassH控制功能，爲提高電池供電系統的效率和降低功耗提供瞭一種新方案。

ACM8816採用QFN-48(9.0mm× 9.0mm)封裝。

ACM8816應用信息

1、ACM8816腳位定義圖

2、ACM8816管腳說明

3、ACM8816 DEMO 應用示意圖

4、ACM8816 DEMO闆PCB頂層設計圖

5、ACM8816 DEMO闆PCB第二層設計圖

6、ACM8816 DEMO闆PCB第三層設計圖

7、ACM8816 DEMO闆PCB底層設計圖

8、ACM8816 DEMO闆貼片圖

9、ACM8816  DEMO闆物料清單

10、ACM8816 DEMO闆實物圖

詳細的産品資料及銷售聯絡信息請參看：http://www.70363.cn/products_7151.htm