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安森美推出新型散熱封裝技術,提升高功耗應用能效
文章來源:永阜康科技 更新時間:2025/12/8 9:46:00
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頂部冷卻(Top-cool)封裝爲電動汽車(chē)、太陽能基礎(chǔ)設施和儲能系統帶來卓越的散熱性能、可靠性及設計靈活性

中國上海 -  2025年12月 5日--安森美(onsemi,美國納斯達克股票代号:ON)宣布推出採(cǎi)用行業标準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET,爲汽車和工業應用的電源封裝技術帶來突破。這款新品爲電動汽車、太陽能基礎設施及儲能系統等市場(chǎng)的高功率、高電壓應用提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性。 

 

 

安森美採用T2PAK封裝的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET系列,将公司業界領先的碳化矽技術與極具創新性的頂部冷卻封裝相結合。首批器件已向主要客戶發貨,安森美計劃於(yú)2025年第四季度及之後推出更多産品。通過在EliteSiC系列全面採用T2PAK封裝,安森美爲汽車與工業客戶提供瞭(le)強有力的全新選擇,滿足其在嚴苛高壓應用中對效率、緊湊性和耐用性的需求。  

随著(zhe)太陽能逆變器、電動汽車充電器和工業電源等應用對功率需求的不斷攀升,高效的熱管理已成爲關鍵的工程挑戰。傳統封裝方式常迫使設計人員在散熱效率與開關性能之間做出取舍。EliteSiC T2PAK解決方案通過将熱量從印刷電路闆(PCB)高效地直接傳導至系統冷卻架構,實現瞭(le)性能與散熱的雙赢,從而帶來以下優勢:   

• 卓越的熱效率,降低工作溫度
• 降低元器件應力,延長系統使用壽命
• 更高的功率密度,實現緊湊的系統設計
• 簡化系統設計,加快産品上市速度

“熱管理是當今汽車和工業市場(chǎng)中電力系統設計人員面臨的最關鍵挑戰之一。這些領域的功率系統設計人員正尋求兼具效率與可靠性的解決方案。憑借我們的EliteSiC技術和創新的T2PAK 頂部冷卻封裝,客戶能夠實現卓越的散熱性能和設計靈活性,助力其打造出在當今競争格局中脫穎而出的新一代産(chǎn)品。”安森美碳化矽事業部副總裁兼負責人Auggie Djekic表示。

工作原理:T2PAK 頂部冷卻封裝通過将MOSFET與散熱片直接熱耦合,在散熱和開關性能之間實現瞭(le)極佳平衡。該設計最大限度降低瞭(le)結點至散熱片的熱阻,並(bìng)支持多種導通電阻Rds(on) 選項(12mΩ - 60mΩ),從而提升設計靈活性。關鍵技術亮點包括: 

• 通過将熱量直接傳導至系統散熱片,規避瞭PCB的散熱限制,實現卓越的散熱性能
• 保持低雜散電感,實現更快的開關速度並降低能耗
• 兼具TO-247和D2PAK封裝優勢,且無明顯缺陷

 

憑借EliteSiC在T2PAK頂(dǐng)部冷卻封裝中卓越的性能指标,設計人員能夠打造出更緊湊(còu)、散熱性能更好、且更高效率的系統。 

 
 
 
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