第8 代BiCS FLASH™技術實現強大的性能和效率提升
Kioxia Corporation（铠俠）是全球領先的内存解決方案提供商，今天宣布該公司採用每單元4位的四層單元（QLC）技術的新款通用閃存1（UFS）版本4.1嵌入式内存器件開始送樣。新款器件專爲讀取密集型應用和大容量存儲需求而設計，採用Kioxia的第8 代BiCS FLASHTM 3D閃存技術。
QLC UFS 4.1嵌入式閃存器件
QLC UFS相比傳統TLC UFS具有更高的位密度，非常适合需要大存儲容量的移動應用。得益於控制器技術和糾錯技術的進步，讓QLC技術能夠在實現這一目标的同時，保持有競争力的性能。
在這些技術進步的基礎上，Kioxia的新款器件實現瞭顯著的性能提升2。與上一代（UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS）相比，Kioxia的QLC UFS将順序寫入速度提升瞭25%，将随機讀取速度提升瞭90%，並将随機寫入速度提升瞭95%3。寫放大系數（WAF）也提升瞭最高3.5倍（在禁用WriteBooster的情況下）。
Kioxia QLC UFS不僅非常适合智能手機和平闆電腦，此外同樣支持需要更高容量和性能的新型産品，包括個人電腦（PC）、網絡、增強現實/虛拟現實（AR/VR）、物聯網（IoT）以及啓用人工智能（AI）的設備。
新款UFS 4.1器件提供512 GB和1 TB兩種容量，将Kioxia先進的BiCS FLASH™ 3D閃存與集成的控制器組合在JEDEC标準封裝中。Kioxia的第8代BiCS FLASH™ 3D閃存推出瞭CMOS直接鍵合陣列（CBA）技術，這一架構創新标志著閃存設計領域的一次飛躍式改變。
主要特點包括：
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符合UFS 4.1規範。UFS 4.1向後兼容UFS 4.0和UFS 3.1。
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第8代Kioxia BiCS FLASH™ 3D閃存
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支持WriteBooster，顯著提升寫入速度
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封裝尺寸比上一代QLC UFS更小：從11×13 mm縮小至9×13 mm
相關鏈接：
Kioxia的UFS 4.1産品頁面
注：
(1)通用閃存（UFS）是根據JEDEC UFS标準規範建造的一個嵌入式内存産品類别。由於採用串行接口，UFS支持全雙工，即可以在主機處理器和UFS器件之間實現並發讀寫
(2)基於Kioxia的内部測試
(3)512GB産品，啓用WriteBooster時
- 凡提及某個Kioxia産品之處：産品密度是指該産品内部的内存芯片密度，而非最終用戶可用於數據存儲的内存容量大小。由於開銷數據區域、格式化、壞扇區和其他限制的原因，用戶可用容量将會低於該值。要瞭解詳情，請參閱相關産品規格。定義：1KB = 2^10字節 = 1,024字節；1Gb = 2^30位 = 1,073,741,824位；1GB = 2^30字節 = 1,073,741,824字節。1Tb = 2^40位 = 1,099,511,627,776位。
- 1 Gbps = 1,000,000,000位/秒。讀寫速度是Kioxia在特定測試環境中取得的最佳值，Kioxia不保證具體器件設備上的讀取或寫入速度。讀寫速度可能因所用設備以及讀取或寫入的文件大小而異。
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