面向消費電子充電器和電源适配器、工業照明電源、太陽能微逆變器

意法半導體推出瞭MasterGaN系列氮化镓功率開關管半橋的第二代産品MasterGaN6 ，該功率系統級封裝(SiP)在一個封裝内集成新的 BCD 栅極驅動器和導通電阻(RDS(on))僅140mΩ的高性能 GaN 功率晶體管。

依托意法半導體MasterGaN系列業已建立的高集成度優勢，MasterGaN6進一步擴大瞭産品功能，新增故障指示引腳與待機功能引腳。這些功能可以實現智能系統管理，提升節能省電效果，同時新産品還集成瞭低壓差線性穩壓器(LDO)和自舉二極管，在保證最優驅動性能的同時減少外圍元器件數量。

新驅動器採用快速時序設計，導通時間與傳輸延遲很短，支持高頻開關操作，幫助設計人員大幅縮小電路尺寸。此外，超快喚醒時間還提升突發模式運行性能，在輕載工況下實現最佳能效。

MasterGaN6内置全面的安全保護功能，包括交叉導通保護、熱關斷與欠壓鎖定，幫助工程師降低物料成本，縮小 PCB 面積，簡化電路布局。

MasterGaN6最大輸出電流10A，面向消費電子和工業應用，包括充電器、适配器、照明電源和 DC‑AC 太陽能微型逆變器。該産品的半橋配置适配多種拓撲結構，例如，有源鉗位反激(ACF)、諧振 LLC、反向降壓轉換器和功率因數校正(PFC)電路。

爲方便設計人員快速評估新芯片，意法半導體推出瞭EVLMG6評估闆，並将MasterGaN6納入 eDesignSuite PCB熱仿真工具的支持範圍内。

MasterGaN6 現已量産，採用 9mm×9mm 緊湊型 QFN 封裝。